场效应管FET与三极管BJT的区别

场效应管介绍

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写为FET）简称场效应管，是一种电压控制型半导体器件，属于单极型晶体管。与三极管BJT相比，FET由多数载流子参与导电，实现电流的控制和放大。在实际应用中，场效应管具有许多不同之处，下面将列举几点主要区别：

1. 工作原理不同：三极管BJT通过电流控制，而MOS管则是通过电压控制。BJT主要用于电流放大，而FET则将栅极电压转换为漏极电流。此外，BJT的主要参数是电流放大倍数β值，而FET的主要参数是跨导gm。

2. 驱动能力不同：MOS管常用于电源开关以及需要大电流的开关电路。

3. 成本差异：三极管BJT相对便宜，而MOS管价格较高。

4. 线性特性：BJT的线性度较差，而FET的线性度较好。

5. 噪声水平：BJT产生的噪声较大，而FET的噪声相对较小。

6. 极性种类：BJT只有NPN和PNP两种极性，而FET包括N沟道、P沟道以及耗尽型和增强型等多种类型，因此FET的选型和使用更加复杂。

7. 功耗：BJT的输入电阻较小，消耗电流较大；而FET的输入电阻很大，几乎不消耗电流。

在实际应用中，三极管BJT通常更加便宜且易于使用，常见于数字电路的开关控制中。而MOS管则适用于高频高速电路、大电流场合，以及那些对基极或漏极控制电流敏感的场景。总的趋势来看，无论是在分立元件电路还是集成电路中，FET替代BJT都是一个明显的发展趋势。